Моделирование процессов самоорганизации в кристаллообразующих системах

Этот товар закончился.

Описание и характеристики

Рассматриваются физико-математические основы моделирования процессов кристаллизации, методические аспекты и конкретные приложения. Построена универсальная, геометрико-топологическая модель возникновения, отбора и эволюции кластерных субструктурных единиц в неравновесных процессах кристаллообразования элементных и оксидных соединений. Модель использована для анализа механизма матричной сборки различного типа периодических структур: элементных соединений (включая фуллерены С60 и С70, оксидов металлов, германатов и силикатов). При переходе на более высокий уровень структурной самоорганизации системы моделирование трехмерной сетки связей в формирующихся кристаллических структурах проводится с использованием принципа максимального, комплементарного связывания предшественников.

Для специалистов в области кристаллографии, физики твердого тела, роста кристаллов и материаловедения, для студентов и аспирантов соответствующих специальностей.
ID товара 2782747
Издательство URSS
Год издания
ISBN 978-5-354-01676-1
Количество страниц 360
Размер 2.1x15x22.2
Тип обложки Твёрдый переплёт
Вес, г 509

Отзывы

15 бонусов

за полезный отзыв длиной от 300 символов

15 бонусов

если купили в интернет-магазине «Читай-город»

Полные правила начисления бонусов за отзывы
Оставьте отзыв и получите бонусы
Оставьте первый отзыв и получите за него бонусы.
Это поможет другим покупателям сделать правильный выбор.
Рассматриваются физико-математические основы моделирования процессов кристаллизации, методические аспекты и конкретные приложения. Построена универсальная, геометрико-топологическая модель возникновения, отбора и эволюции кластерных субструктурных единиц в неравновесных процессах кристаллообразования элементных и оксидных соединений. Модель использована для анализа механизма матричной сборки различного типа периодических структур: элементных соединений (включая фуллерены С60 и С70, оксидов металлов, германатов и силикатов). При переходе на более высокий уровень структурной самоорганизации системы моделирование трехмерной сетки связей в формирующихся кристаллических структурах проводится с использованием принципа максимального, комплементарного связывания предшественников.

Для специалистов в области кристаллографии, физики твердого тела, роста кристаллов и материаловедения, для студентов и аспирантов соответствующих специальностей.