Нано-КМОП-схемы и проектирование на физическом уровне
Описание и характеристики
ID товара
2621523
Издательство
Техносфера
Серия
Мир радиоэлектроники
Год издания
2014
ISBN
978-5-94-836377-6, 978-5-94836-377-6
Количество страниц
432
Размер
2.2x17.6x24.7
Тип обложки
Твёрдый переплёт
Тираж
1000
Вес, г
720
1 099 ₽
+ до 164 бонусов
Последний экземпляр
В магазины сети, бесплатно
СегодняАдреса магазинов
Другие способы доставки
Отзывы
15 бонусов
за полезный отзыв длиной от 300 символов
15 бонусов
если купили в интернет-магазине «Читай-город»
Оставьте отзыв и получите бонусы
Оставьте первый отзыв и получите за него бонусы.
Это поможет другим покупателям сделать правильный выбор.
Книга содержит весьма актуальные сведения по особенностям современных технологий СБИС, уровня 130-90 нм, которые необходимо знать и учитывать при проектировании. Эти сведения изложены в первом разделе (главы 1-3). Во втором разделе (главы 4—9) описаны соответствующие приемы проектирования на физическом уровне для схем смешанного сигнала и аналоговых компонентов, схем памяти, методов снижения потребляемой мощности, схем ввода/вывода и защиты от электростатического разряда, целостности сигнала с учетом длинных межсоединений. В третьем разделе (главы 10-11) рассмотрены приемы проектирования, обеспечивающие повышение выхода годных и учет вариаций технологического процесса.
.Следует заметить, что до появления этой книги системного и собранного в одну книгу пособия для разработчиков современных СБИС на транзисторном уровне просто не было. Книга будет весьма полезна не только конструкторам, но и инженерам-технологам, осуществляющим разработку новых технологий и соответствующих правил проектирования.