Технология выращивания кристаллов нитрида галлия
Описание и характеристики
ID товара
2623768
Издательство
Техносфера
Серия
Мир радиоэлектроники
Год издания
2019
ISBN
978-5-94-836293-9, 978-5-94836-293-9
Количество страниц
384
Размер
2.2x17.6x24.6
Тираж
1500
Вес, г
649
1 099 ₽
+ до 164 бонусов
Осталось мало
В магазины сети, бесплатно
СегодняАдреса магазинов
Другие способы доставки
Отзывы
15 бонусов
за полезный отзыв длиной от 300 символов
15 бонусов
если купили в интернет-магазине «Читай-город»
Оставьте отзыв и получите бонусы
Оставьте первый отзыв и получите за него бонусы.
Это поможет другим покупателям сделать правильный выбор.
Книга представляет собой первый подробный обзор передовой технологии выращивания кристаллов нитрида галлия. Проведен анализ возможностей долгосрочного и краткосрочного применения объемных подложек на основе GaN, а также мотивация и задачи по внедрению соответствующей технологии в конкретные приборы.
.Издание окажется незаменимым ресурсом для инженеров, исследователей и студентов, работающих в области выращивания кристаллов GaN и занимающихся обработкой и изготовлением приборов на их основе как в сугубо научных, так и промышленных целях.